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4英寸氮化镓自支撑衬底

产品概述
4英寸氮化镓自支撑衬底
    4-inch Free-standing GaN Substrates 
直径 Dimension100 ± 0.5 mm
厚度 Thickness450 ± 30 μm
主参考边   Orientation Flat(1-100) ± 0.1o, 32 ± 1 mm
次参考边   Secondary Frientation Flat(11-20) ± 0.2o, 16 ± 1 mm
晶向OrientationC plane (0001) off angle toward M-axis
    0.4±0.2°
总厚度变化 TTV 30 μm
弯曲度 BOW 40 μm
导电类型   Conduction TypeN-type
    Un-doped
N-type
    Silicon-doped
电阻率Resistivity   (300K)<   0.2 Ω·cm<   0.02 Ω·cm
载流子浓度   Carrier Concentration5×1016 cm-31~2×1018 cm-3
镓面粗糙度 Ga   face surface roughness< 0.3 nm (10×10μm)
氮面粗糙度 N face   surface roughnessEtched 0.5 ~1.5   μm);Polished(<0.3nm
边缘 EdgeBeveled
位错密度   Dislocation density<2×106 cm-2
(002) 面半峰宽   (002) FWHM100   arcsec
(102) 面半峰宽   (102) FWHM100   arcsec
宏观缺陷密度 Macro   defect density (hole)< 0.5 cm-2
可用面积 Useable   area90 %
包装 PackagePackaged in individual containers in a class 100 clean room   environment.


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