太阳集团电子游戏(中国)有限公司-百度百科

简体中文
X

关注微信公众号了解更多信息

点击屏幕其他地方可关闭此窗口

2英寸氮化镓自支撑衬底

产品概述


2英寸氮化镓自支撑衬底
    2-inch Free-standing GaN Substrates 
直径 Dimension50.8 ± 0.2 mm
厚度 Thickness400 ± 25 μm
主参考边   Orientation Flat(1-100) ± 0.1o, 16 ± 1 mm
次参考边   Secondary Frientation Flat(11-20) ± 0.2o, 8 ± 1 mm
晶向   OrientationC plane (0001) off angle toward M-axis
    0.35±0.15° or 0.55 ± 0.15°
总厚度变化 TTV15 μm
弯曲度 BOW20 μm
导电类型   Conduction TypeN-type
    Un-doped
N-type
    Silicon-doped
Semi-Insulating
    Carbon-doped
电阻率   Resistivity (300K)<   0.2 Ω·cm<   0.02 Ω·cm109 Ω·cm
载流子浓度   Carrier Concentration5×1016 cm-31~2×1018 cm-3/
镓面粗糙度 Ga   face surface roughness< 0.3 nm (10×10μm)
氮面粗糙度 N face   surface roughnessEtched 0.5 ~1.5   μm);Polished< 0.3nm
边缘 EdgeBeveled
位错密度   Dislocation density<1×106  cm-2
(002) 面半峰宽   (002) FWHM70   arcsec
(102) 面半峰宽   (102) FWHM70   arcsec
宏观缺陷密度 Macro   defect density (hole)< 0.3 cm-2
可用面积 Useable   area90 %
包装 PackagePackaged in individual containers in a class 100 clean room   environment. 


Copyright © 2018 太阳集团电子游戏 All Rights Reserved. ICP备案号:粤ICP备12004059号