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6英寸硅基氮化镓外延片

产品概述
6英寸硅基氮化镓外延片
    6-inch GaN on Silicon Dmode HEMT Epiwafer
外延结构Layer Name厚度Thickness备注Notes
Cap-GaN3nm
Barrier AlGaN20-30nmAl%20-27%
AlN1nm
UGaN200nm
CGaN1500nm
Buffer AlGaN3200nmAl%10-70%
Buffer AlN250nm
Substrate   Si(NotchFlat)1000μm150 mm Si (111)
参数名称Item参数标准 Specifications
Epi thickness5.2±0.5 μm
Edge crack<3 mm
Bow<±30μm
GaN XRD   FWHM(002)<700arcsec
GaN XRD   FWHM(102)<800arcsec
2DEG mobility>1800cm2/V·s
2DEG   concentration>8E12cm-2
Sheet   resistance<400Ω


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